晶振，石英晶振，石英晶振谐振器，西铁城晶振
| 价 格： | 0.25 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌： | 西铁城晶振 | |
| 型号： | 西铁城晶振 | |
| 种类： | 晶振 | |
| 调整频差： | 454（MHz） | |
| 温度频差： | 1（MHz） | |
| 总频差： | 5（MHz） | |
| 负载电容： | 1（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 1（Ω） | |
| 激励电平： | 21（mW） | |
| 基准温度： | 21（℃） | |
| 插入损耗： | 212（dB） | |
| 阻带衰减： | 12（dB） | |
| 输入阻抗： | 1（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 21（kΩ） |
如果要求VCXO的输出频率比石英晶振振子所能实现的频率还要高，
可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是
将晶振振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。
与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展"
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信息内容：硅机电振荡器，可编程晶振的出现让不少石英晶体生产厂家震撼和恐惧，因为这款可编程的晶体出现会直接威胁到石英晶振生产商的饭碗。但是以千赫石英晶体表晶为主要生产的厂家到不是很担心，因为目前的硅机电晶体替代技术还没法把时钟晶体表晶系列给替代，因此以千赫为主要生产的工厂目前完全不担心。4月20日，美国初创公司SiTime在北京宣布，推出可代替传统石英振荡器的SiT11xx系列MEMS First振荡器(硅机电振荡器)。SiT11xx系列提供1MHz～125MHz输出频率，适合数玛相机、游戏机、机顶盒、MP3播放器等各类消费电子产品，汽车电子及工业产品应用。SiTime的振荡器在-40℃～85℃温度变化范围内提供50ppm～100ppm的频率精度，而操作电压仅在3.3V、2.5V或1.8V。SiTime目前已经可以提供样片，预计9月量产出货。SiTime公司还宣布和香港先思行有限公司(AV Concept Limited)签定中国大陆及香港地区销售代理权。在很多数字集成电路中都要用到实时时钟( RTC, Real Time Clock ) , 而确保RTC工作计时正确的关键部分就是32 .768KHZ的晶体振荡器电路. 本文先容了集成32.768KHZ晶体振荡电路的设计方法及留意事项, 并用Matlab验证了理论分析, 用Cadence Spectre 仿真了电路
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信息内容：对于S=jw加, 此阻抗由一个即是-gm/(ClCZw2)的负电阻串连C1 和C2组成(图3(b))如图4 所示, 将表晶和放大器的偏置电阻置于M1 的栅漏两端就构成了前面所述的晶振电路,它可以等效为右边的串连谐振电路, 假如要维持电路振荡,必须保证Zc的实部也就是负阻部分的︱Rosc︱≥Rso其中这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的极大值和极小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是...
