价 格: | 0.26 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 贴片晶振 | |
型号: | 贴片晶振 | |
种类: | 晶振 | |
标称频率: | 98(MHz) | |
调整频差: | 484(MHz) | |
温度频差: | 84(MHz) | |
总频差: | 8(MHz) | |
负载电容: | 1(pF) | |
负载谐振电阻: | 4(Ω) | |
激励电平: | 4(mW) | |
基准温度: | 5(℃) | |
插入损耗: | 5(dB) | |
阻带衰减: | 2(dB) | |
输入阻抗: | 1(kΩ) | |
输出阻抗: | 2(kΩ) |
稳定度优于±25ppm/0~70℃,老化率为±2ppm/年,
输出负载达10个LSTTL(单价达10美元以上)。
于1998年7月上市的单价2000日元的UCV4系列压控振荡器(VCO),
面向全球移动通信系统(GSM)和个人数字蜂窝电话(PDC),
可用频率范围为650~1700MHz,电源电压为2.2~3.3V,
尺寸仅为4.8mm×5.5mm×1.9mm,体积为0.05?,重量0.12g。
日本精工·爱普生公司利用ST切型晶片制作的声表面波(SAW)谐振器(Q≌2000),
型号为FS-555,用4.8mm×5.2mm×1.5mm陶瓷容器包封,
振荡频率范围达250~500MHz,频率初始偏差为±25~100ppm,
在-20~60℃范围内的频率稳定度是±27ppm,老化率为±10ppm/年。
利用FS-555组成的压控SAW振荡器
欲扩大频率调节范围,可加大串联电感Lo的电感量。
由于SAW谐振器的频率可达2GHz以上,为压控SAW振荡器(VCSO)的高频化提供了一条重要途径。
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CL是晶振的负载电容,晶振在使用时对其负载电容是有要求的,以保证晶振在正确的频率下振荡.32.768KHZ的晶振一般要求负载电容为6pf或12.5pf,在实际应用中需要对电容进行调节使晶振获得正确的振荡频率. 在本文设计的电路中Cl(或C2) 包括两部分的电容,一部分是片外电容。另一部分使用片内集成的可调节的电容阵列,如图6所示,用四个MOS开关控制可变电容从0 到15pf变化,依次递增1pf.这样就可以直接通过控制字调节晶体负载电容的大小,以使晶体正确振荡在32.768KHZ.所有电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路仿真,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供足够的驱动能力驱动后面的数字电路.通过仿真还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW.
VCXO压控振荡器发展历史电压控制晶振振荡器(VCXO)电压控制晶振振荡器(VCXO),是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶振振荡器。在典型的VCXO中,通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶振振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽,实际的牵引度范围约为±200ppm甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶振振子所能实现的频率还要高,可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶振振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比,这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展在移动通信基地站中作为高精度基准信号源使用的VCXO代表性产品是日本精工·爱普生公司生产的分析图VG-2320SC。这种采用与IC同样塑封的4引脚器件,内装单独开发的专用IC,器件尺寸为12.6mm×7.6mm×1.9mm,体积为0.19?。