价 格: | 2.70 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | 20N60C3 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
品牌/商标: | Siemens/西门子 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
属性: | 属性值 |
产品说明:
【实物图片】
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产品型号:20N60C3
产品品牌:英飞凌
产品封装:TO220
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【产品规格资料】型号:FQP12N60C封装:TO220包装:50个/管 1000个/盒dzsc/19/1682/19168249.jpg 参数资料:(更多详细参数资料请于我们技术部沟通QQ:3296685)dzsc/19/1682/19168249.jpg 【场效应管的作用】1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。 【FQP12N60为进口韩国芯片,由国内包装,品质可靠】有订单的客户,可以提供样品,让您满意检验产品我们尽量做到品质,价格。 深圳市朝鸿电子所供元件为原装,渠道正规,放心购买,轻松采购,无后顾之忧! 【开票说明】本公司购物金额满100元以上可以开普通发票.税点加6%。如需要开具增值税票,税点12%,可开抵扣17%点的增值税票。