价 格: | 0.05 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | KDS | |
型号/规格: | KDS晶振 | |
种类: | 晶振 | |
调整频差: | 4646(MHz) | |
温度频差: | 44(MHz) | |
负载电容: | 6465(pF) | |
负载谐振电阻: | 4(Ω) | |
激励电平: | 5645(mW) | |
基准温度: | 54(℃) | |
插入损耗: | 54(dB) | |
阻带衰减: | 4(dB) | |
输入阻抗: | 545(kΩ) | |
输出阻抗: | 4(kΩ) |
3 电路设计及仿真
实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.
前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值必须在这两个值之间才能保证正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以达到gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路仿真得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.
偏置电阻R,使反相器invl工作在线性放大区,这样才能使反相用具有大的增益并使其振荡在确定频率.R1的推荐值是10到25MΩ之间.随着R1的增大,反相器的增益随之增大,使振荡器更快的起振并可以在较低的电源电压下维持振荡.
R2的作用是增加反相器的输出电阻并限制驱动晶振的电流的大小.R2的值必须足够大以防止晶振被过驱动而导致晶体损坏,32.768KHZ晶体的驱动功率值是1uW. 对于32.768KHZ的晶振,R2的值在200到300kΩ左右.
总体来说晶振的稳定度等方面好于晶体,尤其是精密测量等领域,绝大多数用的都是的晶振,这样就可以把各种补偿技术集成在一起,减少了设计的复杂性。试 想,如果采用晶体,然后自己设计波形整形、抗干扰、温度补偿,那样的话设计的复杂性将是什么样的呢?我们这里设计射频电路等对时钟要求高的场合,就是采用 高精度温补晶振的,工业级的要好几百元一个。"
CXO是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器,其内部结构如图4所示。在OCXO中,有的只将石英晶体振子置于恒温槽中,有的是将石英晶体振子和有关重要元器件置于恒温槽中,还有的将石英晶体振子置于内部的恒温槽中,而将振荡电路置于外部的恒温槽中进行温度补偿,实行双重恒温槽控制法。利用比例控制的恒温槽能把晶体的温度稳定度提高到5000倍以上,使振荡器频率稳定度至少保持在1×10-9。OCXO主要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和网络分析仪等设备、仪表中