价 格: | 0.36 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 进口晶振 | |
型号: | 进口晶振 | |
种类: | 晶振 | |
标称频率: | 1512(MHz) | |
调整频差: | 12(MHz) | |
温度频差: | 12(MHz) | |
负载电容: | 12(pF) | |
负载谐振电阻: | 15(Ω) | |
激励电平: | 1(mW) | |
基准温度: | 54(℃) | |
插入损耗: | 545(dB) | |
阻带衰减: | 5(dB) | |
输入阻抗: | 15(kΩ) | |
输出阻抗: | 15(kΩ) |
标称频率 | 晶体元件规范指定的频率 |
串联谐振频率(Fs) | 等效电路中串联电路的谐振频率 |
并联谐振频率(Fp) | 等效电路中并联电路的谐振频率 |
负载频率(FL) | 晶体带负载时的频率 |
负载电容(CL) | 与谐振器联合决定工作频率的有效外界电容 |
静电容(C0) | 等效电路中与串联臂并联的电容 |
动电容(C1) | 等效电路中串联臂中的电容 |
动态电感(L1) | 等效电路中串联臂中的电感 |
动态电阻(R1) | 等效电路中串联臂中的电阻 |
频率精度 | 工作频率与标称频率的偏差 |
等效电阻(ESR) | 谐振器与规定的负载电容串联的总阻抗 |
频率温度特性 | 频率随温度变化的特性 |
室温频率偏差 | 谐振器在室温下频率的偏差 |
频率/负载牵引系数(Ts) | 负载电容对频率影响的能力 |
老化率 | 晶体频率随时间的漂移 |
Q值 | 晶体的品质因数 |
激励功率(电平) | 谐振器工作时消耗的功率 |
激励功率依赖性(DLD) | 谐振器在不同激励功率下参数的特性 |
温度频率偏差 | 频率随温度变化与标称频率的偏差 |
工作温度范围 | 谐振器规定的工作温度范围 |
泛音 | 晶体的机械谐波 |
寄生响应 | 晶体除主响应(主频率)外的其他频率的响应 |
设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的值和最小值.3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它www.hktddj.com元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的."
1)直接补偿型直接补偿型TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路,在振荡器中与石英晶体振子串联而成的。在温度变化时,热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化,从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单,成本较低,节省印制电路板(PCB)尺寸和空间,适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时,直接补偿方式并不适宜。(2)间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路,并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上,通过晶体振子串联电容量的变化,对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数(A/D)变换器,将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿,使晶体振荡器频率稳定度非常高,但具体的补偿电路比较复杂,成本也较高,只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。高精度、低功耗和小型化,仍然是TCXO的研究课题。在小型化与片式化方面,面临...