价 格: | 0.03 | |
加工定制: | 否 | |
品牌: | 有源晶振 | |
型号: | 有源晶振 | |
种类: | 晶振 | |
调整频差: | 89(MHz) | |
温度频差: | 89(MHz) | |
总频差: | 898(MHz) | |
负载电容: | 98(pF) | |
负载谐振电阻: | 98(Ω) | |
激励电平: | 989(mW) | |
基准温度: | 898(℃) | |
插入损耗: | 98(dB) | |
阻带衰减: | 98(dB) | |
输入阻抗: | 989(kΩ) | |
输出阻抗: | 8(kΩ) |
在移动通信基地站中作为高精度基准信号源使用的VCXO代表性
产品是日本精工·爱普生公司生产的分析图
VG-2320SC。这种采用与IC同样塑封的4引脚器件,
内装单独开发的专用IC,器件尺寸为12.6mm×7.6mm×1.9mm,体积为0.19?。
其标准频率为12~20MHz,电源电压为3.0±0.3V,工作电流不大于2mA,
在-20~+75℃范围内的频率稳定度≤±1.5ppm,
频率可变范围是±20~±35ppm,启动振荡时间小于4ms。
金石集团生产的VCXO,频率覆盖范围为10~360MHz,
频率牵引度从±60ppm到±100ppm。
VCXO封装发展趋势是朝SMD方向发展,
并且在电源电压方面尽可能采用3.3V。
日本东洋通信机生产的TCO-947系列片式VCXO"
振荡器比谐振器多了一个控制电路。晶体谐振器有一些等效参数,不同的使用环境可能会有不同的要求,比如有些使用中对负载电容 C0 / C1 有要求,选用时还要考虑环境温度、负载电容、频率精度甚至 DLD 等要求,这就要求外围振荡电路的参数要加一些控制才能输出稳定的频率。晶体振荡器就避免了这些麻烦,振荡电路已经由生产厂家做好,使用时只需要提供一个稳定的电源供电就可以有稳定输出了。另外振荡器还有一些辅助功能的,比如,压控晶振(VCXO)、温补晶振(TCXO)、恒温晶振(OCXO)等,这些振荡器可以满足直接使用谐振器时难以做到的一些精密控制。像 OCXO 的频率精度可以做到 E-9 量级。其次,晶振是用晶体谐振器作成的,为了在别的部件上面,作为信号载波,或时序。以符合所生产产品的要求。
3 电路设计及仿真实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是必须留意的.前面已经用Matlab计算出了gm的和最小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值必须在这两个值之间才能保证正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以达到gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路仿真得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.偏置电阻R,使反相器invl工作在线性放大区,这样才能使反相用具有大的增益并使其振荡在确定频率.R1的推荐值是10到25MΩ之间.随着R1的增大,反相器的增益随之增大,使振荡器更快的起振并可以在较低的电源电压下维持振荡.R2的作用是增加反相器的输出电阻并限制驱动晶振的电流的大小.R2的值必须足够大以防止晶振被过驱动而导致晶体损坏,32.768KHZ晶体的驱动功率值是1uW. 对于32.768KHZ的晶振,R2的值在200到300kΩ左右."