深圳公司现货IOR半桥式驱动器SOP-8原装IR2304STRPBF场效应管
| 价 格： | 5.00 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 型号/规格： | IR2304STRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压 - 电源： | 10 V ~ 20 V | |
| 电流 - 峰值： | 60mA | |
| 高压侧电压 - 值： | 600V |
参数
配置 （半桥)
输入类型 (非反相)
延迟时间 (220ns)
电流 - 峰值 (60mA)
配置数 (1)
输出数 (2)
高压侧电压 - 值（自举） (600V)
电压 - 电源 (10 V ~ 20 V)
工作温度 (-40°C ~ 125°C)
特点
浮动通道设计为引导操作
全面运作，以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从5至20V的栅极驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V，5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
两个通道的匹配传播延迟
相高侧输出和IN输入
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
内部540ns死区时间
为更好的噪声下的di / dt栅极驱动器
免疫
关闭输入关闭两个通道
8引脚SOIC也可用LEAD-FREE（PBF）。
描述
IR2302（S）高电压，高速
功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖
凹痕高和低侧参考输出
渠道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片结构。
逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至。浮动通道可
可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营
600伏。
封装图片展示
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结型场效应管 深圳四海联创电子科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 柯创林
- 电话：
- 传真：
- 手机：13510200925
- QQ ：
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