♦ 高性能、全屏蔽、抗干扰、微波性能好 ♦ 高精度、微纳米加工,指标一致性好,适合批量生产 ♦ 硅基片、体积小、重量轻、使用方便 ♦ 50欧姆共面波导输出,键合使用,适用微波多芯片集成应用 |
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推荐使用方法 采用低温装架工艺(不超过180℃),芯片下表面用适量低应力导电胶粘接,保证充分接地。射频端用150um×12.5um金带(推荐)或25um~50um金丝键合连接,金丝键合时,键合线数量不少于2根,连线尽量短。 | dzsc/19/1533/19153396.jpg |
♦ 高性能、全屏蔽、抗干扰、微波性能好♦ 高精度、微纳米加工,指标一致性好,适合批量生产♦ 硅基片、体积小、重量轻、使用方便♦ 50欧姆共面波导输出,键合使用,适用微波多芯片集成应用 ♦ 低通采用阶梯阻抗结构,引入传输零点,提高带外抑制 ♦ 低通远端抑制覆盖三次谐波甚至更远处 dzsc/19/1584/19158459.jpg 产品说明全球推出采用高精度微纳米加工、硅圆片直接键合、TSV(硅通孔)等MEMS技术制作的新一代硅腔滤波器芯片,超小体积。为微波多功能集成模块的小型化提供了新选择。产品频率范围覆盖S~Ku 波段,频段正在向mm波发展。 典型应用 雷达 微波通讯 电子系统 推荐使用方法 采用低温装架工艺(不超过180℃),芯片下表面用适量低应力导电胶粘接,保证充分接地。射频端用150um×12.5um金带(推荐)或25um~50um金丝键合连接,金丝键合时,键合线数量不少于2根,连线尽量短。 本公司供应中国电科第十三研究所美泰公司SiMF系列MEMS低通滤波器质量保证,欢迎咨询洽谈。
♦ 高性能、全屏蔽、抗干扰、微波性能好♦ 高精度、微纳米加工,指标一致性好,适合批量生产♦ 硅基片、体积小、重量轻、使用方便、键和使用♦ 50欧姆共面波导输出,键合使用,适用微波多芯片集成应用 ♦ 系统封盖前后性能无变化,适于联机调试 dzsc/19/1651/19165143.jpg 产品说明全球推出采用高精度微纳米加工、硅圆片直接键合、TSV(硅通孔)等MEMS技术制作的新一代硅腔滤波器芯片,超小体积。为微波多功能集成模块的小型化提供了新选择。产品频率范围覆盖S~Ka波段,频段正在向3mm波段发展。 典型应用 雷达 微波通讯 电子系统 推荐使用方法 采用低温装架工艺(不超过180℃),芯片下表面用适量低应力导电胶粘接,保证充分接地。射频端用150um×12.5um金带(推荐)或25um~50um金丝键合连接,金丝键合时,键合线数量不少于2根,连线尽量短。 dzsc/19/1651/19165143.jpg