价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD4809NHT4G | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | L/功率放大 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
数据列表 NTD4809NH 产品相片 TO-263 标准包装 2,500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 9A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2155pF @ 12V 功率 - 值 1.3W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 D-Pak 包装 带卷 (TR) 其它名称 NTD4809NHT4G-ND
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NTD4809NHT4GOSTR
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数据列表UG(F,B)8(F,G)T, BYV29(F,B)-300/-400Packaging Information产品相片TO-220-2 FullPack, ITO-220AC标准包装1,000类别分立半导体产品家庭单二极管/整流器系列-二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(值)400V电流 - 平均整流 (Io)8A不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 8A速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)50ns不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 400V不同 Vr、F 时的电容-安装类型通孔封装/外壳TO-220-2 全封装,隔离接片供应商器件封装ITO-220AC包装管件 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。
数据列表MBR(F,B)1535CT - 1560CTPackaging Information产品相片AOT3N50标准包装1,000类别分立半导体产品家庭二极管,整流器 - 阵列系列-不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)750mV @ 7.5A不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 60V电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)7.5A电压 - DC 反向 (Vr)(值)60V反向恢复时间 (trr)-二极管类型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)二极管配置1 对共阴极安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 隔离片供应商器件封装ITO-220AB包装管件我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 87860755 - 8276 8796陈先生传真:(86)0755 - 8271 9699手机:(0) 13826525739陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。"