价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | NTD60N02R | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
品牌/商标: | ON/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 NTD60N02R 产品相片 TO-263 产品变化通告 Product Obsolescence 11/Feb/2009 标准包装 2,500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 25V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 8.5A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 10.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1330pF @ 20V 功率 - 值 1.25W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 D-Pak 包装 带卷 (TR) 其它名称 NTD60N02RT4OSTR
我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成
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数据列表NTD24N06产品相片TO-263标准包装2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)24A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)42 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 25V功率 - 值1.36W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装带卷 (TR)其它名称NTD24N06T4GOSNTD24N06T4GOS-NDNTD24N06T4GOSTR我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 0755 - 8276 8796 陈先生传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚提供予你市场的价格。"
数据列表NTD30N02产品相片TO-263产品变化通告Product Discontinuation 03/Apr/2007标准包装75类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)24V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)14.5 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1000pF @ 20V功率 - 值75W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63供应商器件封装DPAK-3包装管件 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 李小姐 0755 - 8276 8796 林小姐传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚及时提供予你市场的价格。