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8.5A DPAK贴片N沟道NTD60N02R MOSFET管TO-252原装On

价 格: 0.10
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:NTD60N02R
材料:N-FET硅N沟道
用途:A/宽频带放大
品牌/商标:ON/安森美
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

数据列表

NTD60N02R

产品相片

TO-263

产品变化通告

Product Obsolescence 11/Feb/2009

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)

25V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)

8.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)

10.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1330pF @ 20V

功率 - 值

1.25W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63

供应商器件封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

其它名称

NTD60N02RT4OSTR

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