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2N7002DW-7-F/双N沟道增强型场效应MOS/60V 0.115A/SOT-363/美台

价 格: 0.20
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:2N7002DW-7-F
封装外形:SMD(SO)/表面封装
品牌/商标:DIODES/美台
用途:UNI/一般用途
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
源漏电压Vds:60V
耗散功率Pd:0.2W
漏极电流Id:0.115A
类型:其他IC

 

【产品展示图】



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【产品参数】


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【交易说明】

 

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