ESD保护二极管PESD5V0L4UG L2p L2t L2W 原装NXP 只做
| 价 格： | 0.20 | |
| 工作温度范围： | 标准（℃） | |
| 功耗： | 原装正品 | |
| 批号： | 10+ | |
| 材料： | 硅(SI) | |
| 是否进口： | 是 | |
| 备注： | 正品 | |
| 型号/规格： | PESD5V0L4UG | |
| 产品类型： | 瞬变抑制二极管 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 用途： | 静电保护二极管 | |
| 主要参数： | 5V | |
| 封装： | SOT353 |
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专题简介:
ESD脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。【NXP半导体】及【安森美半导体】提供各种类型的ESD/TVS保护二极管,非常适用于对抗ESD及其他电压突变脉冲。这些器件最多可以保护18个数据通道，可抵抗30kV的尖峰脉冲.其引脚容抗可低至1pF，非常适合保护高速（可达200MHz以上）数据线，由于他们的小体积及非常小的漏电流，因此也适用于一些对空间及功耗要求严格的场合，如电池供电及手持设备。
概述 |
ESD脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。NXP提供一个新系列的ESD保护二极管,非常适用于对抗ESD及其他电压突变脉冲。这些器件最多可以保护18个数据通道，可抵抗30kV的尖峰脉冲.其引脚容抗仅为10pF，非常适合保护高速或高频（可达200MHz以上）数据线，由于他们的小体积及非常小的漏电流，他们非常适用于一些对空间及功耗要求严格的场合，如电池供电及手持设备。 |
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