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三菱IGBT模块CM300DY-12A〖〗假一赔十

价 格: 510.00
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:CM300DY-12A
材料:IGBT绝缘栅比极
用途:MOS-HBM/半桥组件
品牌/商标:Mitsubishi/三菱
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型
类型:其他IC

IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

保管时的注意事项

  一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为535℃ ,常湿的规定在4575%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。   IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

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昆山奇沃电子有限公司
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