价 格: | 面议 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | Sharp/夏普 | |
型号/规格: | PC452 | |
种类: | 光电耦合器 | |
波段范围: | 远红外 | |
运转方式: | 连续式 | |
激励方式: | 光泵式 | |
工作物质: | 固体 | |
光路径: | 透过型外光路 | |
输出形式: | NPN三极管型 | |
传输信号: | OC门型 | |
速度: | 低速 | |
通道: | 单通道 | |
输出波长: | 原厂规格(nm) | |
线宽: | 原厂规格(mm) |
制造商: Sharp Microelectronics
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
RoHS: 详细信息
配置: 1
输入类型: DC
集电极/发射极电压: 350 V
集电极/发射极饱和电压: 1200 mV
绝缘电压: 3750 Vrms
正向二极管电压: 1.4 V
集电极电流: 150 mA
功率耗散: 170 mW
工作温度: 100 C
最小工作温度: - 30 C
封装 / 箱体: Mini-Flat
下降时间: 100 us
输入二极管电流: 50 mA
反向二极管电压: 6 V
上升时间: 300 us
输出设备: Darlington
输出类型: DC
dzsc/19/1397/19139722.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 红外发射源 RoHS: 详细信息 波长: 940 nm 射束角: /- 24 正向电流: 50 mA 功率耗散: 100 mW 工作温度: 100 C 最小工作温度: - 40 C 封装 / 箱体: T-3/4 封装: Bulk 透镜形状: Circular 安装风格: Through Hole 工作电压: 1.6 V
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 电阻汲极/源极 RDS(导通): 9.3 Ohms 汲极/源极击穿电压: 600 V 漏极连续电流: 1 A 功率耗散: 800 mW 工作温度: 105 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: DIP-8 封装: Tube 最小工作温度: - 40 C 充电器应用/仙童充电器IC FSEZ1216NYJ FSEZ1216NY 保证原装充电器应用/仙童充电器IC FSEZ1216NYJ FSEZ1216NY 保证原装