产品详细参数:
温度范围:工业,-40-85°C
电源电压:3.3V±10%
功能引脚:“E”为输出使能
频率稳定度:±25 PPM
包装尺寸:3.2×2.5毫米
5.0毫米×3.2毫米
7.0 x 5.0毫米
包装:“Y”:带卷,1000卷
散装空白
基本参数描述
频率准确度:在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度(25℃)以及其他条件保持不变,晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的允许偏差,即(fmax-fmin)/f0;
温度稳定度:其他条件保持不变,在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值,即(fmax-fmin)/(fmax+fmin);
频率调节范围:通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。
调频(压控)特性:包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。
①调频频偏:压控晶体振荡器控制电压由标称的值变化到最小值时输出频率差。
②调频灵敏度:压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。
③调频线性度:是一种与理想直线(最小二乘法)相比较的调制系统传输特性的量度。
负载特性:其他条件保持不变,负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的允许频偏。
电压特性:其他条件保持不变,电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的允许频偏。
杂波:输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比,用dBc表示。
谐波:谐波分量功率Pi与载波功率P0之比,用dBc表示。
频率老化:在规定的环境条件下,由于元件(主要是石英谐振器)老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。通常用某一时间间隔内的频差来量度。对于高稳定晶振,由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移,往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来量度。
日波动:指振荡器经过规定的预热时间后,每隔一小时测量一次,连续测量24小时,将测试数据按S=(fmax-fmin)/f0式计算,得到日波动。
开机特性:在规定的预热时间内,振荡器频率值的变化,用V=(fmax-fmin)/f0表示。
相位噪声:短期稳定度的频域量度。用单边带噪声与载波噪声之比£(f)表示,£(f)与噪声起伏的频谱密度Sφ(f)和频率起伏的频谱密度Sy(f)直接相关,由下式表示:
f2S(f)=f02Sy(f)=2f2£(f)
f-傅立叶频率或偏离载波频率;f0-载波频率。
基本参数描述
频率准确度:在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度(25℃)以及其他条件保持不变,晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的允许偏差,即(fmax-fmin)/f0;
温度稳定度:其他条件保持不变,在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值,即(fmax-fmin)/(fmax+fmin);
频率调节范围:通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。
调频(压控)特性:包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。
①调频频偏:压控晶体振荡器控制电压由标称的值变化到最小值时输出频率差。
②调频灵敏度:压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。
③调频线性度:是一种与理想直线(最小二乘法)相比较的调制系统传输特性的量度。
负载特性:其他条件保持不变,负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的允许频偏。
电压特性:其他条件保持不变,电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的允许频偏。
杂波:输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比,用dBc表示。
谐波:谐波分量功率Pi与载波功率P0之比,用dBc表示。
频率老化:在规定的环境条件下,由于元件(主要是石英谐振器)老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。通常用某一时间间隔内的频差来量度。对于高稳定晶振,由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移,往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来量度。
日波动:指振荡器经过规定的预热时间后,每隔一小时测量一次,连续测量24小时,将测试数据按S=(fmax-fmin)/f0式计算,得到日波动。
开机特性:在规定的预热时间内,振荡器频率值的变化,用V=(fmax-fmin)/f0表示。
相位噪声:短期稳定度的频域量度。用单边带噪声与载波噪声之比£(f)表示,£(f)与噪声起伏的频谱密度Sφ(f)和频率起伏的频谱密度Sy(f)直接相关,由下式表示:
f2S(f)=f02Sy(f)=2f2£(f)
f-傅立叶频率或偏离载波频率;f0-载波频率。
产品详细参数: 品牌: SITIME 型号:SiT1602 加工定制: 是 种类:晶振 标称频率:33.000000(MHz) 调整频差:0.00000001(MHz) 温度频差:0.000001(MHz) 总频差:0.0001(MHz) 负载电容:15(pF) 负载谐振电阻:20(Ω) 激励电平:10(mW) 基准温度:21(℃) 插入损耗:0.001(dB) 阻带衰减:0.000001(dB) 输入阻抗:1000(kΩ) 输出阻抗:100(kΩ) 产品广泛应用于家电、通信、电脑、手机、医疗仪器、数码产品和钟表等领域。 晶振是晶体振荡器的简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶...
产品详细参数: 品牌: SITIME 型号:SiT1602 加工定制: 是 总频差: 45(MHz) 温度频差: 60(MHz) 输出阻抗: 60(kΩ) 调整频差: 30(MHz) 基准温度: 50(℃) 激励电平: 30(mW) 插入损耗: 60(dB) 负载谐振电阻: 60(Ω) 标称频率: 50(MHz) 种类: 晶振 加工定制: 是 负载电容: 10(pF) 输入阻抗: 30(kΩ) 阻带衰减: 20(dB) 这类晶体体积小,塑壳封装,广泛运用于手机通讯,自动化控制系统等等,可满足回流焊焊接工艺要求。产品为环保无铅,符合欧盟Rohs认证,通过ISO9001:2008质量管理体系、ISO14000环境管理体系及TS16949汽车质量管理体系认证。 产品广泛应用于家电、通信、电脑、手机、医疗仪器、数码产品和钟表等领域。