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供应场效应管(模块)MMBT4403LT1G 中意法部分现货

价 格: 面议
型号/规格:MMBT4403LT1G
品牌/商标:ST(意法半导体)
封装形式:sop
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:卷带编带包装
功率特征:大功率

2N7002LT1G

 

MMBT3904LT1G   

 

MMBT3906LT1G   

 

MMBT2222ALT1G 

 

BAV99LT1G     

 

MMBD914LT1G    

 

MMBT4401LT1G    

 

BAV70LT1G     

 

MMBT4403LT1G    

 

MMBT3906LT1G    

 

MMBT2907ALT1G 

 

2N7002LT1G       

 

MMBD7000LT1G    

  

 SOT923

 

ESD9B5.0ST5G   

 

ESD9M5.0ST5G 

 

ESD9L5.ST5G  

 

ESD9X5.0ST5G

深圳10大电子元器件供应商

www.sth-ic.com

深圳市中意法电子科技有限公司总经理来自在意法半导体工作过10年的朱军山博士

 

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深圳市中意法电子科技有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 彭冬梅
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供应MOSFET管 12CWQ03FNTRPBF MOSFET管 12CWQ03FNTRPBF 中意法优势现货

信息内容:

切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时,负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换,由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率(dVCOM/dt)若超过允许值,会迫使双向可控硅回复导通状态,因为载流子没有充分的时间自结上撤出    12CWQ03FNTRPBF IR TO-252 12CWQ03FNTRPBF IR TO-252 12CWQ03FNTRPBF IR TO-252 1N4148 NXP DO-35 1N4148 NXP DO-35 1N4148 NXP DO-35 2N7002 NXP 3-SOT-23 2N7002 NXP 3-SOT-23 2N7002 NXP 3-SOT-23 4MHZ晶振 6MAF36005 6N137 FSC DIP 726-IPB025N10N3G 74AC521 74HC04D NXP SOP 74HC4075D TI SOP 74HC4075D TI SOP 74HC564P NXP SOP 74L3244 TI 74LCX244MTCX 74LH245D 74LS145 74LVT2245PW NXP TSSOP 74W245 A3120 AP2012SRCPRV AT24C16BN-SH-T AT SOP AT93C66A ATWEL SOP8 BCX54-1...

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供应 场效应管 MAX1027BCEE 中意法电子MAXIM(美信)专卖区

信息内容:

结面温度Tj越高,dVCOM/dt承受能力越下降。假如双向可控硅的dVCOM/dt的允许值有可能被超过,为避免发生假触发,可在T1 和T2 间装置RC缓冲电路,以此限制电压上升率。通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻,0.01μF~0.47μF的电容,晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流,此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。 MAX1132BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1133BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1134BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1135BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1136EUA MAXIM 8-μMAX MAX1137EUA MAXIM 8-μMAX MAX1138EEE MAXIM 16-QSOP MAX1139EEE MAXIM 16-QSOP MAX1142BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1144BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1145BEAP MAXIM 20-SSOP MAX1147BEUP MAXIM 20-TSSOP MAX1148BEUP MAXIM 20-TSSOP MAX1149BEUP MAXIM 20-TSSOP MAX114CAG MAXIM 24-SSOP MAX1153BEUE MAXIM 16-TSSOP MAX1154BE...

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