价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | NCE | |
型号/规格: | NCE60H15 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 60(V) | |
极间电容: | 6500(pF) |
产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。
高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。
高Eas能力。(100%UIS测试)
电参数高度一致性和重复性。
特殊制程,高防静电电能力(ESD)
产品应用:主要用于开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器,
工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源,
定制电源,电焊机,机电设备等。
Vds=60V;Id=150A; Rds (ON)<4.5mΩ @Vgs=10V (Typ:3.6mΩ)
注:@在…的条件下 封装:TO-220
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
dzsc/19/1356/19135666.jpg
产品特征:Trench NPT(非穿通)技术 低Vcesat,低导通损耗 拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度 短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件 高Eas能力 更强的抗闩锁能力 极强的抗冲击能力 易并联使用 产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等 软开关应用 Vds=1200V;Id=20A; 封装:TO-247dzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpg dzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpgdzsc/19/1371/19137195.jpg "