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无锡固电ISC供应2SD1669三极管

价 格: 4.50
是否提供加工定制:
品牌/商标:ISC
型号/规格:2SD1669
应用范围:放大
材料:硅(Si)
极性:NPN型
结构:平面型
封装形式:直插型
封装材料:塑料封装

DESCRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 50V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 0.4V(Max.)

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1136

 

 

APPLICATIONS

·Designed for relay drivers,high speed inverters,converters

and other general high current switching applications.

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

60

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

50

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

6

V

IC

Collector Current-Continuous  

12

A

ICM

Collector Current-Peak  

15

A

PC

Collector Power Dissipation

@Ta=25

2

W

Collector Power Dissipation

@TC=25

30

TJ

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature

-55~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 1 mA; RBE=

50

 

 

V

V(BR)CBO

Collector-BaseBreakdownVoltage

IC= 1mA; IE= 0

60

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-BaseBreakdownVoltage

IE= 1mA; IC= 0

6

 

 

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 6A; IB= 0.6A

 

 

0.4

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 40V ; IE= 0

 

 

100

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 4V; IC= 0

 

 

100

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 1A; VCE= 2V

70

 

280

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 5A; VCE= 2V

30

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 1A; VCE= 5V

 

10

 

MHz

Switching Times

ton

Turn-On Time

IC= 2A, IB1= -IB2= 0.2A;

RL= 4Ω; VCC= 20V

 

0.1

 

μs

tstg

Storage Time

 

1.2

 

μs

tf

Fall Time

 

0.05

 

μs

 

u hFE-1Classifications

Q

R

S

70-140

100-200

140-280

 "

无锡固电半导体股份有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:江苏 无锡
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王燕
  • 电话:0510-85346980
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