| 价 格: | 0.10 | |
| 品牌: | IR ST 仙童 三星 | |
| 型号: | IRF640 IRF630 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | ;(V) | |
| 夹断电压: | ;(V) | |
| 跨导: | .(μS) | |
| 极间电容: | ‘(pF) | |
| 低频噪声系数: | ’(dB) | |
| 漏极电流: | ‘(mA) | |
| 耗散功率: | ’(mW) |
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