N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVD8N60F
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | SILAN/士兰微 | |
| 型号/规格： | SVD8N60F | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
SVD8N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
深圳市福田区海立辉电子销售部
公司信息未核实
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