价 格: | 0.09 | |
品牌/商标: | 长电 | |
型号/规格: | 9014C | |
应用范围: | 振荡 | |
功率特性: | 中功率 | |
频率特性: | 超高频 | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 点接触型 | |
材料: | 硅(Si) | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 金属封装 | |
截止频率fT: | 745(MHz) | |
集电极允许电流ICM: | 4(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 4(W) | |
营销方式: | 代理 | |
产品性质: | 热销 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 17
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856; BC857
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
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、主要性能指标温度系数:0±30ppm/℃,-55℃~125℃;电容量漂移:不超过±0.3%或±0.05pF,取较大者。介质损耗:容量CR≥50pFCR<50pF介质损耗tgδ≤15×10-4tgδ≤1.5×(150/ CR 7) ×10-4老化特性:无;绝缘电阻:在20℃下:容量≤10nF>10nF绝缘电阻Ri≥10000MΩRi*CR≥100S介质耐电压(测试浪涌电流的极限值:UR≤1250V的应限制在30mA到50mA之间,对UR≥1251V的为10mA):额定电压测试电压测试时间UR<200V2.5 UR1~5sec200V≤UR≤1000V1.5 UR1~5secUR>1000V1.2 UR1~5sec2、产品型号规格CC4-0805COG101J500NT ︱︱︱︱︱︱︱产品外形尺寸规格介质种类标称电容量(单位:pF)误差级别额定电压端头类型包装形式 无表示:片式CC4:引线型0402~2225COG:0±30ppm/℃-55℃~125℃前两位数字为有效数字,后一位数字为10的幂数;B:±0.10pFC:±0.25pFD:±0.50pFF:±1.0%G:±2.0%J:±5.0%前两位数字为有效数字,后一位数字为10的幂数;N:三层电镀Ag(Cu)/Ni/Sn;S:全银(或铜)端头;T:编带包装;B或空缺:散包装3、外形尺寸参数4.1 片式电容器尺寸代号尺 寸 ( mm )LWTmax04021.00±0.050.50±0.050.5506031.52±0.250.76±0.250.7608052.00±0.201.25±0.201.4012063.20...