霍尼韦尔硅压压力传感器SCC30SMT
| 价 格： | 1.00 | |
| 材料： | 陶瓷 | |
| 种类： | 压力 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 防护等级： | 0.00 | |
| 材料物理性质： | 详见说明 | |
| 型号： | SCC30SMT | |
| 材料晶体结构： | 其他 | |
| 线性度： | 0.00（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.00（%F.S.） | |
| 重复性： | 0.00（%F.S.） | |
| 漂移： | 0.00 | |
| 分辨率： | 0.00 | |
| 品牌： | Honeywell/霍尼韦尔 | |
| 输出信号： | 咨询 | |
| 灵敏度： | 0.00 | |
| 制作工艺： | 集成 |
量程：0~30psig
输出方式：mV
温度补偿：是
过载压力：2倍量程
封装：SMT
型号：SCC30SMT
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SCC30SMT硅压力传感器在被恒流源驱动时提供具有温度稳定输出且成本极低的传感元件。这种集成电路的硅压力传感器可用于不需要在宽温区内保持高精度，但要求成本低的应用场合。
SCC15SMT硅压力传感器提供标准表面安装封装，带可选的导气管以地适合应用。SCC30SMT硅压力传感器可用于测定从0至30psig范围内的绝压和表压。在便携应用中建议用脉冲功率以取得精度及保存电池电力。
性能参数
输入
工作温度：-40°C至＋125°C
补偿温度：0°C至＋50°C
供电电流：MaxIs＝＋1.5mA
压力量程：30PSI
线性度：滞后和可重复性0.2％FSS（典型值）
零点偏置：-10mV
温度对量程的影响：0.25％FSS（典型值）
温度对偏移的影响：0.5％FSS（典型值）
偏移量程的长期稳定性：0.1％F。S（典型值）
响应时间（10％至90％）：0.1mS
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- 所属城市：广东 深圳
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霍尼韦尔AWM43300V气体流量传感器
信息内容：型号：AWM43300V工作温度：-40℃至125℃信号调理：放大流量范围：0~1000sccm耗电量：60mV霍尼韦尔AWM43300V流量传感器测量±1000sccm的流量值，广泛应用于气体分析仪、低真空控制、医用呼吸仪和肺活量仪、氧气供应、麻醉控制仪等。AWM42300V系列包括不带放大和放大/信号处理的信号。AWM42150V和AWM42300，使用和AWM2000相同的电路AWM43300V和AWM43600V使用和AWM3000相同的电路。AWM43600V为6SLPM器件。 优势特点多个集中安装/O形密封圈陶瓷流量管（无引气管），0-1000sccm塑料流量管（无引气管），0-6SLPM高共模压力（150psi）工作温度可至125℃零点和满量程高稳定性应用范围HVAC的风门挡板控制气体分析仪低真空控制过程控制医用呼吸仪和肺活量仪氧气供应麻醉控制仪气体标定dzsc/19/1332/19133223.jpg 性能参数 霍尼韦尔AWM43300V气体流量传感器 AWM42150VHAWM42300VAWM43300VHAWM43600V流量范围 ±25sccm ±1000sccm 1000sccm 6LPM压力范围 输出电压@标定点 8.5±1.5mV@25sccm 54.7±3.7mVDC@1000sccm 5±1.5mV@1000sccm 5±0.15VDC@6LPM零点漂移,type 25 ~ -25℃ 25 ~ 85℃ ±0.2mV ±0.2mV ±0.025...
霍尼韦尔带放大超低压硅压力传感器DC001NDR4
信息内容：量程：0-1inH2O输出方式：mV温度补偿：是过载压力：2倍量程封装：--型号：DC001NDR4霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC001NDR4将SURSENSE精确的，高精度的硅敏感特性和的ASIC芯片技术结合在一起，是最精密、最耐用的硅压传感器。SURSENSE技术，提供了动态自补偿，从根本上减少了由于温度、自热、长期稳定性和位置灵敏而引起的漂移误差，霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC001NDC4带温度补偿和放大dzsc/19/1335/19133586.jpg
