价 格: | 1.00 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | FP10R12YT3_B4 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。
"型 号:CM300DU-12NFH 制 造 商:Mitsubishi 产品种类:IGBT 模块 品 质:全新原装 产 品:IGBT 电 压: 600 V 电 流: 300 A 工作温度: 145 C 绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式 功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密 度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了 以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如 交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 公司长期供应:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌 三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解 电容,大制动电阻;三菱其他型号: PM50RL1A060 PM50RL1A060(1) PM50RL1B060 PM50RL1C060 PM50RLA060 PM50RSD060 PM75B4L1C060 PM75B4LB060 PM75B5L1C060 PM75B5LA060 PM75B5LB060 PM75B6L1C060 PM75B6LA060 PM75B6LB060 PM75C...