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供应IGBT模块FP10R12YT3_B4

价 格: 1.00
品牌:INFINEON/英飞凌
型号:FP10R12YT3_B4
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:IGBT绝缘栅比极
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。

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北京浩诚嘉泰科技有限公司
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供应CM300DU-12NFH三菱模块

信息内容:

型 号:CM300DU-12NFH 制 造 商:Mitsubishi 产品种类:IGBT 模块 品 质:全新原装 产 品:IGBT 电 压: 600 V 电 流: 300 A 工作温度: 145 C 绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式 功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密 度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了 以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如 交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 公司长期供应:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌 三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解 电容,大制动电阻;三菱其他型号: PM50RL1A060 PM50RL1A060(1) PM50RL1B060 PM50RL1C060 PM50RLA060 PM50RSD060 PM75B4L1C060 PM75B4LB060 PM75B5L1C060 PM75B5LA060 PM75B5LB060 PM75B6L1C060 PM75B6LA060 PM75B6LB060 PM75C...

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