价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | C106D1 | |
控制方式: | 单向 | |
极数: | 三极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | TO-126 | |
关断速度: | 普通 | |
散热功能: | 不带散热片 | |
频率特性: | 低频 | |
功率特性: | 小功率 | |
额定正向平均电流: | 2(A) | |
控制极触发电流: | 10-30(mA) | |
反向重复峰值电压: | 500(V) |
供应微触发单向可控硅 欢迎来电查询.
特点:
1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.
2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.
3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。
额定值(Ta=25℃)
断态重复峰值电压 VDRM 500V
通态平均电流 IT(AV) 2A
通态(不重复)浪涌电流 ITSM 20A
控制极平均功率 PC(AV) 0.2W
贮存温度 T-40~110℃
家用电器控制电路,变频电路,调光,调温,调速电路.欢迎各厂商及供应商来电洽谈.ABSOLUTE RATINGS (Limiting values)symbolParamenterValueUnitIT(RMS)RMS On-state current, (Tc =180°conduction angle)1AIT(AV)Average on-state current (180°conduction angle)0.7AITSMNon-repetitive surge peak on-state current, tp=10ms10AI2tI2t value for fusing (tp=10ms)0.6A2SIGMPeak gate current (tp=20μS)0.2APGMPeak gate power0.5WPG(AV)jAverage gate power0.1WTstgTjStorage temperatureOperating junction temperature-40 to 150-40 to 110℃"
标准单向可控硅 欢迎来电查询. 产品特征1.内部芯片采用NPNP四层结构的硅单向器件。2.台面玻璃钝化、多层金属电极工艺。3.单面台面结构,具有门极灵敏触发,耐电流冲击能力强,低维持电流,高低温特性可靠。"