9926 N-MOS管
| 价 格： | 0.35 | |
| 饱和漏极电流： | 6 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 营销方式： | 厂家直销 | |
| 封装形式： | SOP8 | |
| 型号/规格： | 9926 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 品牌/商标： | 德普 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
简介:
DP9926 是双路增强型的N 沟道
MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达
20V。据有低漏电流，低导通电阻等
特点。
DP9926 典型导通内阻为20mR @
4.5v。为小型SOP8 封装，内部两管
的D 级未连在一起，为完全独立之
MOSFET客户可随意应用。
特征:
Ø GS 间电压：±12V
Ø GS 间漏电流：<100nA
Ø 低导通电阻：4.5v 时典型19mR,
2.5v 时典型25mR
Ø DS 间耐压：20V
Ø DS 间漏电流：<1uA
Ø 控制启动电压：典型0.7v
Ø DS 连续电流：可达7A
Ø 内部二级管压降：<1.2V
应用:
Ø DC-DC 转换器
Ø 锂电池保护板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移动电源
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包装：采用全新防静电包装。
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