价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF520PBF IRF520 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
极间电容: | 330(pF) | |
漏极电流: | 9.7(mA) | |
耗散功率: | 48(mW) |
IRF520NPbF |
TO-220AB PKG |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
200 毫欧 @ 5.7A, 10V |
100V |
9.7A |
4V @ 250µA |
25nC @ 10V |
330pF @ 25V |
48W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
(深圳科顺龙电子)产品详情: (深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLL2703TRPBF - 场效应管 MOSFET N SOT-223 30V 5.5A
数据列表STP80NF70产品相片t820t-6i标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C9.8 毫欧 @ 40A, 10V漏极至源极电压(Vdss)68V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C98AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2550pF @ 25V功率 - 190W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB其它名称497-10964-5数据列表ST(B,P)75NF75(FP)产品相片TO-220 Pkg产品目录绘图ST Series TO-220标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 40A, 10V漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3700pF @ 25V功率 - 300W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB产品目录页面1491 (CN2010-11 Interactive)1491 (CN2010-11 PDF)其它名称497-2788-5"