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【华强实体店供应】原装场效应管 IRF830/IRF830PBF

价 格: 2.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF830PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
材料:N-FET硅N沟道

描述

  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id 连续:4.5A
  • 电压, Vds :500V
  • 在电阻RDS(上):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:74W
  • 功耗:74W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 漏极电流, Id 值:4.5A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电压, Vgs :20V
  • 电流, Idm 脉冲:18A
  • 表面安装器件:通孔安装

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
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信息内容:

MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB dzsc/19/1299/19129996.jpg"

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信息内容:

描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:80A电压, Vds :75V在电阻RDS(上):11mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3V封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)N沟道栅极电荷 Qg:117nC功率, Pd:300W功耗:300W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B漏极电流, Id 值:80A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:75V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs Rds N沟道:10V电压, Vgs :3V电压变化率 dv/dt:12V/µs电流, Idm 脉冲:320A结温, Tj :-55°C结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm阈值电压, Vgs th :2V"

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