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IR场效应管 IRF620PBF IRF620 TO-220 200V5.2A50W 进口原装

价 格: 1.00
品牌:IR/国际整流器
型号:IRF620PBF IRF620
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MAP/匹配对管
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:200(V)
夹断电压:10(V)
跨导:20(μS)
极间电容:260(pF)
低频噪声系数:4(dB)
漏极电流:5.2(mA)
耗散功率:50(mW)

VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF620PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 200V 5.2A

 

dzsc/19/1277/19127777.jpg

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
1,000
分离式半导体产品
FET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
200V
5.2A
800 毫欧 @ 3.1A, 10V
4V @ 250µA
14nC @ 10V
260pF @ 25V
50W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
深圳科顺龙电子
*IRF620PBF


dzsc/19/1277/19127777.jpg

晶体管极性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:5.2A
  • 电压, Vds :200V
  • 在电阻RDS(上):800mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:50W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:50W
  • 功耗:50W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:160mJ
  • 器件标记:IRF620
  • ??装类型:TO-220AB
  • 封装类型, 替代:SOT-78B
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:30W
  • 时间, trr 典型值:155ns
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:5.2A
  • 热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电压, Vgs :20V
  • 电容值, Ciss 典型值:350pF
  • 电流, Idm 脉冲:18A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:800mohm
  • 针脚格式:1G 2 插口 D 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th :4V
    • RoHS协从产品: 是
    • dzsc/19/1277/19127777.jpgRoHS协从证明

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 彭志毫
  • 电话:86 0755 82719303
  • 传真:86 0755 82719303
  • 手机:13760241411
  • QQ :
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L540NS IRL540NS IRL540NSPBF IR 场效应管 100V 36A 进口全新

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(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL540NSPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK 100V 36A

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