价 格: | 面议 | |
品牌: | IXYS/艾赛斯 | |
型号: | IXTP80N10T | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 10(V) | |
夹断电压: | na(V) | |
跨导: | na(μS) | |
极间电容: | na(pF) | |
低频噪声系数: | na(dB) | |
漏极电流: | na(mA) | |
耗散功率: | na(mW) |
Product Detail |
Part Num: | IXTP80N10T | |
Description: | POWER DEVICES > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > Trench MOSFETs | |
Configuration: | Single | |
Package Style: | TO-220 | |
Status: | Active Part | |
Support Docs: |
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Parameter 上海元限电子科技有限公司公司信息未核实
- 所属城市:上海
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人: 王洋
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公司相关产品详细内容>>IR IGBT IRGB4061DPBF
信息内容:SpecificationsParameterValuePackage TO-220ABCircuit Co-PackVCES (V) 600VCE(ON) (V) 1.95IC @ 25C (A) 36IC @ 100C (A) 18PD @25C (W) 206Environmental Options PbF
详细内容>>IXFP110N15T2
信息内容:Product DetailBackPart Num:IXFP110N15T2Description:POWER DEVICES > DISCRETEMOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > TrenchT2HiperFETsConfiguration:SinglePackage Style: TO-220Status:Active PartSupport Docs:DataSheet RecommendedAlternativesCompetingPartsParameter
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