供应金属化聚酯膜电容100V334(330NF) 100V0.33UF
| 价 格： | 0.15 | |
| 额定电压： | 100（V） | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 调节方式： | 固定 | |
| 标称容量： | 0.33（uF） | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 应用范围： | 旁路 | |
| 型号： | 100V334 | |
| 温度系数： | 105 | |
| 允许偏差： | ±5（%） | |
| 引线类型： | 径向引出线 | |
| 等效串联电阻(ESR)： | 0（mΩ） | |
| 品牌： | 法拉 | |
| 耐压值： | 100（V） | |
| 损耗： | 0.001 | |
| 绝缘电阻： | 0（mΩ） | |
| 介质材料： | 有机薄膜 | |
| 外形： | 长方形 |
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名称：金属化薄膜电容(CL21\\CBB13\\CBB21\\CBB22\\CBB28\\CBB81)
电容量：100PF--10UF
额定电压：50V 63V 100V 150V 250V 400V 450V 630V 1000V 1250V 1600V 2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差，具有优良的高频绝缘性能，电容量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。耐温高，吸收系数小。
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路。
CBB为聚丙烯薄膜电容器，主要有以下优点：
1、损耗极低；
2、介质吸收系数低；
3、绝缘电阻高；
4、频率特性好；
5、自愈性优异，稳定性高。
应用范围：
高频脉冲场合、交流场合、高稳定的定时场合、温度补偿电路、开关电源系统和彩电行业、照明LED电路、滤波、旁路、耦合等电路
"- 所属城市：广东 深圳
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热销250V474(470NF) 250V0.47UF薄膜电容
信息内容：dzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpgdzsc/19/1366/19136683.jpg名称：金属化薄膜电容(CL21\\CBB13\\CBB21\\CBB22\\CBB28\\CBB81)电容量：100PF--10UF额定电压：50V 63V 100V 150V 250V 400V 450V 630V 1000V 1250V 1600V 2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差，具有优良的高频绝缘性能，电容量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。耐温高，吸收系数小。应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路。CBB为聚丙烯薄膜电容器，主要有以下优点：1、损耗极低；2、介质吸收系数低；3、绝缘电阻高；4、频率特性好；5、自愈性优异，稳定性高。应用范围：高频脉冲场合、交流场合、高稳定的定时场合、温度补偿电路、开关电源系统和彩电行业、照明LED电路、滤波、旁路、耦合等电路"
供应高压陶瓷电容1000V101
信息内容：瓷介电容：瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。1. 高频圆片瓷介电容（CC）:电容量：1--6800p;额定电压：63--500V;主要特点：高频损耗小，稳定性好.应用：高频电路。低频瓷介电容（CT）。电容量：10p—4.7u。额定电压：50V--100V。主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路。CC1型1类瓷介电容器。 用途：CCI型1类瓷介电容器Q值高，容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-500V。CS1型3类瓷介电容器。用途：作超高频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。25V-50V。CT71型2类交流瓷介电容器。用途：各类电子、电器设备，用于天线耦合，开关电路及跨接电源线等。250Vac。CT81型2类高压瓷介电容器。用途：适用于1~3kV直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。
