| 价 格: | 0.10 | |
| 品牌: | IXY美国电报半导体 | |
| 型号: | IXTH75N15 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | A/宽频带放大 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 0(V) | |
| 夹断电压: | 0(V) | |
| 低频跨导: | 0(μS) | |
| 极间电容: | 0(pF) | |
| 低频噪声系数: | 0(dB) | |
| 漏极电流: | 0(mA) | |
| 耗散功率: | 0(mW) |
场效应管IXTH75N15 IXTH1538
本公司经营功放配对管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压
等大中功率管.
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