| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | WIS | |
| 型号: | WFD2N60 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | A/宽频带放大 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | +(V) | |
| 夹断电压: | +(V) | |
| 跨导: | +(μS) | |
| 极间电容: | +(pF) | |
| 低频噪声系数: | +(dB) | |
| 漏极电流: | +(mA) | |
| 耗散功率: | 56800(mW) |
类别:FET-MOS管
型号:WFD2N60
电压:600V
电流:2A
功率:56.8W
封装:TO-252-3
品牌:WISDOM
最小包装量:3000PCS
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