价 格: | 2.00 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FQU13N10L | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MAP/匹配对管 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | MES金属半导体 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 400(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 10000(mW) |
【名称】 | 贴片场效应管 | 【品牌】 | Fairchild/仙童飞兆 |
【型号】 | FQU13N10L | 【环保】 | 无铅环保 |
【封装】 | TO-251 | 【极性】 | N-沟道 |
【电压】 | 100V | 【功率】 | 40W |
【电流】 | 10A | 【内阻】 | 0.18Ω |
【配对】 | - | 【描述】 | 原装 |
【名称】功率场效应管【品牌】IR【型号】IRF153R【环保】无铅环保【封装】TO-3【极性】N-沟道【电压】60V【功率】150W【电流】33A【内阻】0.6Ω【配对】IRF9153 【描述】原装
适用:如X射线电源,激光器,电压倍增电路,微波发射电源等..【名称】高压二极管【厂家】美国HVCA公司【型号】BR2【环保】无铅环保【电流】1.0A【封装】DO(塑封横向)【电压】2KV【时间】150nS【尺寸】D5.0mm*L9.0mm【描述】原厂"