价 格: | 1.60 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF610PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
IRF610PBF Packaging Information |
TO-220-3, TO-220AB |
IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
1,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
200V |
3.3A |
1.5 欧姆 @ 2A, 10V |
4V @ 250µA |
8.2nC @ 10V |
140pF @ 25V |
36W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
1528 (CN2011-ZH PDF) |
*IRF610PBF |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
数据列表2N3904产品相片TO-92-3 PkgTO-92 PKG产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图TO-92 Side 2其它图纸TO-92 Side 1TO-92 Bottom标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()200mA电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 600mW频率 - 转换250MHz安装类型通孔封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线供应商设备封装TO-92包装带盒 (TB)其它名称2N3904-APTB替代的封装本零件更有以下封装可供选择:
数据列表MTP3055VL产品相片TO-220-3, TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品目录绘图MOSFET TO-220 Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 6A, 5VId 时的 Vgs(th)()2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V功率 - 48W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装管件产品目录页面1607 (CN2011-ZH PDF)其它名称MTP3055VLFS dzsc/19/1244/19124465.jpg