价 格: | 0.40 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | 1N60/HN1N60/HD1N60/HU1N60 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
品牌/商标: | HL | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
产品特点
1N60 型硅N沟道 VDMOS功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大功率开关电源,其特点如下:
关开速度快
通态电阻低
可并联使用
驱动简单
封装形式:TO-251/252/92
电特性:
VDSS >600V
ID=1A
RDS<15R
具体参数请与业务人员联系!
特别说明:1.请勿直接拍下并付款。
2.电子元件是型的产品,技术含量较高,其本身可能存在着多种后辍与封装,可能导致参数与性能 的差异,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、型号、封装、后辍等跟我们联系落实后再进行交易!
3.本网站报价为参考价, 实际的价格请按我们的报价为准! 如有任何需求,请随时与我们联系,我们将竭诚为您服务! 联系方式: 电 话:0755-88837622 Q Q: 1553245155 联系人:曹小姐
产品详细说明产品特点2N60 型硅N沟道 VDMOS功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大功率开关电源,其特点如下:关开速度快通态电阻低可并联使用驱动简单封装形式:TO-251/252/TO-220/TO-126C电特性:VDSS >600V ID=2ARDS<4.2R具体参数请与业务人员联系! 特别说明:1.请勿直接拍下并付款。 2.电子元件是型的产品,技术含量较高,其本身可能存在着多种后辍与封装,可能导致参数与性能 的差异,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、型号、封装、后辍等跟我们联系落实后再进行交易! 3.本网站报价为参考价, 实际的价格请按我们的报价为准! 如有任何需求,请随时与我们联系,我们将竭诚为您服务! 联系方式: 电 话:0755-88837622 Q Q: 1553245155 联系人:曹小姐
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