现货HX12N60C(TO-220,TO-220F
| 价 格： | 3.10 | |
| 品牌： | HX(环鑫) | |
| 型号： | HX12N60C(TO-220,TO-220F) | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 0.1（V） | |
| 夹断电压： | 0.1（V） | |
| 低频跨导： | 0.1（μS） | |
| 极间电容： | 0.1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0.1（dB） | |
| 漏极电流： | 0.1（mA） | |
| 耗散功率： | 0.1（mW） |
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HX12N60 TO-220/TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 12A，600V，RDS(on)=0.65Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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场效应HX8N60(TO-220,TO-220F)
信息内容：现货供应全新场效应管HX8N60(TO-220,TO-220F)质量保证,货源稳定.有实力的公司可以月结,欢迎来电dzsc/19/1277/19127774.jpg现货长期供应全新场效应管HX8N60 TO-220/TO-220F 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电HX8N60 TO-220/TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 7.6A，600V，RDS(on)=1.0Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630"
供应场效应管WFW28N60 TO-247
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFW28N60(TO-247)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFW28N60 TO-247 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFW28N60 TO-247 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 28A，600V，RDS(on)=0.24Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/19/1309/19130990.jpg
