FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQA9N90C FQA9N90 9N90现货
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | FQA9N90C FQA9N90 9N90 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 4.2 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 5 S
汲极/源极击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 4 A
功率耗散: 47 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: FQPF4N90C_NL
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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NIEC全新原装场效应管 FCH10U06 日本生产 现货
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