| 价 格: | 1.30 | |
| 品牌: | SAM韩国三星 | |
| 型号: | IRFZ24 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | P沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | CC/恒流 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压: | 456(V) | |
| 夹断电压: | 56(V) | |
| 低频跨导: | 56(μS) | |
| 极间电容: | 45(pF) | |
| 低频噪声系数: | 6565(dB) | |
| 漏极电流: | 5465(mA) | |
| 耗散功率: | 546(mW) |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 17
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856; BC857
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
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