供应N沟道场效应管STP75NF75
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | SGS法意电子 | |
| 型号： | STP75NF75 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 75（V） | |
| 夹断电压： | 40（V） | |
| 跨导： | 20（μS） | |
| 极间电容： | 3700（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 50（mA） | |
| 耗散功率： | 10（mW） |
产品应用：这一系列的MOSFET，极大的减小了输入电容和栅极充电电流，
因此它们非常适合用于通信和计算机的高性能。
高频率独立DC－DC转换器的初级变换摸块之中；
同时，它们也可以用于任何低栅极驱动的电路中，
如：电动自行车充电电路
Description
This Power MOSFET series realized with
STMicroelectronics unique STripFET™ process
has specifically been designed to minimize input
capacitance and gate charge. It is therefore
suitable as primary switch in advanced high-
efficiency, high-frequency isolated DC-DC
converters for Telecom and Computer
applications. It is also intended for any
applications with low gate drive requirements.dzsc/19/1210/19121053.jpg
- 所属城市：广东 深圳
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东芝光耦TLP127-1可编程控制器
信息内容：原装现货PC823PC925PC927PC357TLP181TLP281-4TLP2805-4TLP127-1TLP2801-4PC929集电极/发射极电压:300 V集电极/发射极饱和电压:1.2 V绝缘电压:2500 Vrms电流传递比:4000 %正向二极管电压:1-1.3 V功率耗散:200 mW工作温度: -55℃- 100℃正向电流:10 mA输入二极管电流:10 mA反向二极管电压:5 VTLP127是一个小型扁平耦合器，以TOSHIBA为代表品牌，适用于贴片安装，包含一个砷化镓红外发光二极管，该二极管光耦合到一个达林顿光电晶体管
