三极管供应MOS管SI2301DS(图)
| 价 格： | 0.08 | |
| 品牌： | VISHV | |
| 型号： | SI2301DS | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | UNI/一般用途 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压： | -0.45~-2.95（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 0.1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 30（mA） | |
| 耗散功率： | 20（mW） |
供应MOS管SI2301DS
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结型场效应管 深圳市锐豪达电子有限公司
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