TO-252.FQD2N60B/C
| 价 格： | 0.85 | |
| 品牌/商标： | FUM美国富士通微电子 | |
| 型号/规格： | FQD2N60B/C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 极间电容： | 5.0（pF） | |
| 低频噪声系数： | `（dB） | |
| 漏极电流： | `（mA） | |
| 耗散功率： | `（mW） |
FQD2N60C / FQU2N60C
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction, electronic lamp ballasts
based on half bridge topology.
Features
• 1.9A, 600V, RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 8.5 nC)
• Low Crss ( typical 4.3 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
深圳市泰兴发电子有限公司
公司信息未核实
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