仙童场效应管 11N60 原装 质量保证 请咨询
| 价 格： | 0.01 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | 11N60 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.38 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 9.7 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 11 A
功率耗散: 125 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
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ST电源场效应管/MOS场效应管 原装 STP11NM80
信息内容：产品图片dzsc/19/1202/19120297.jpgdzsc/19/1202/19120297.jpg ST效应管 ST6263BM3,ST6263BM6,ST62E60BF1,ST62P53BB1,ST62P53BB3, ST62P53BB6,ST62P53BM1,ST62P53BM3,ST6265BB3,ST6265BB6,ST6265BM1,ST6265BM3,ST6265BM6,ST62E65BF1,ST62P55BB1,ST626XB-KITST626X-EMU2,ST6280-EMU2, ST6280-P/QFP,ST6285-EMU2, ST6285-P/QFP,ST628X-DBE, ST628X-EMU2ST6280B, ST6280BQ1,ST6280BQ6,ST62E80BG1,ST62T80BQ6ST6285B, ST6285BQ1,ST6285BQ6,ST62E85BG1,ST62T85BQ6ST62E0X-GP, ST62E10-GP, ST62E15-GP, ST62E40-GP, ST62E42-GP, ST62E60-GP, ST62E65-GP, ST62E80-GP, ST62E85-GPST62E2XC-EPB,ST62E3X-EPB,ST62E4XB-EPB,ST62E6XB-EPB,ST62E8X-EPBST62E30BF1,ST62P30BB1, ST62P30BB3,ST62P30BB6,ST62P30BM1,ST62P30BM3,ST62P30BM6,ST62T30BB3,ST62T30BB6, ST62T30BM3,ST62T30BM6ST62P08CM6,ST62P09CB1,ST62P09CB3,ST62P09CB6, ST62P09CM1,ST62P09CM3,ST62P09CM6,ST62P10CB1,ST62P10CB3,ST62P10CB6,ST62P10CM1, ST62P10CM3,ST62P10CM6,ST62P20CB1,ST62P20CB3,ST62P20CB6,ST62P20CM1,ST62P20CM3, ST62P20CM6,ST62T08CB6,ST62T08CM6,ST62P25CB6, ST62P25CM1, ST62P25CM6, ST62T15CB6,...
【韩国美格纳】大功率高压MOS管 MDP2N60TH MDF2N60TH 现货
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