价 格: | 1.00 | |
品牌: | RENESAS/瑞萨 | |
型号: | 2SK360IGF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | HF/高频(射频)放大 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 正常(V) | |
夹断电压: | 正常(V) | |
跨导: | 正常(μS) | |
极间电容: | 正常(pF) | |
低频噪声系数: | 正常(dB) | |
漏极电流: | 正常(mA) | |
耗散功率: | 正常(mW) |
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