价 格: | 0.78 | |
品牌/商标: | TRUESEMI | |
型号/规格: | TSF2N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
特点
■2.0A,600V,Rds(on) =5.5ΩVGS= 10V
■栅极电荷(典型的15nC)
■高耐用性
■快速开关
■100%雪崩测试
■改进的dv / dt的能力
概述
这款功率MOSFET采用了Truesemi先进的DMOS生产工艺.这项技术旨在限度地减少通态电阻,具有较高的坚固的雪崩特性,如快速开关时间,低栅极电荷,通常用于在AC功率MOSFET适配器,电池充电器和SMPS.
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深圳市和芯电子有限公司为Truesemi(韩国信安)深圳地区一级代理商,授权代理信安全系列产品。常备现货,交期在1-2天,欢迎选购。
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