TSF2N60
| 价 格： | 0.78 | |
| 品牌/商标： | TRUESEMI | |
| 型号/规格： | TSF2N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
特点
■2.0A，600V，Rds(on) =5.5ΩVGS= 10V
■栅极电荷（典型的15nC）
■高耐用性
■快速开关
■100％雪崩测试
■改进的dv / dt的能力
概述
这款功率MOSFET采用了Truesemi先进的DMOS生产工艺.这项技术旨在限度地减少通态电阻，具有较高的坚固的雪崩特性，如快速开关时间，低栅极电荷，通常用于在AC功率MOSFET适配器，电池充电器和SMPS.
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