价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | SILAN/士兰微 | |
型号/规格: | SVD10N60F SVD10N60T SVD10N65F SVD10N65T | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
扬州华之鑫电子代理分销士兰微电子MOS管,从1A到10A电压600V或650。具体型号有:
SVD1N60M TO-251
SVD1N60D TO92
SVF1N60M TO-251
SVF1N60D TO-92
SVD2N60M TO-251
SVD2N60F TO-220F
SVD2N60D TO-252
SVF2N60M TO-251
SVF2N60F TO-220F
SVF2N60D TO-252
SVD4N60F TO-220F
SVD4N60D TO-252
SVF4N60F TO-220F
SVF4N60D TO-252
SVD4N65F TO-220F
SVD4N65D TO-252
SVF4N65F TO-220F
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SVD7N60T TO-220
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SVD7N65F TO-220F
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"【厂家直供】供应2A104J# 涤纶电容 (厂家直销) dzsc/19/1206/19120683.jpg简介涤纶电容 用两片金属箔做电极,夹在极薄绝缘介质中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,介质是涤纶。涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性较好,适宜做旁路电容。 突出优点:薄膜电容的精度、损耗角、绝缘电阻、温度特性、可靠性及适应环境等指标都优于电解电容,瓷片电容两种电容。 突出缺点:容量价格比及容量体积比都大于以上两种电容。 dzsc/19/1206/19120683.jpgdzsc/19/1206/19120683.jpgdzsc/19/1206/19120683.jpgdzsc/19/1206/19120683.jpg
【厂家特供】供应高品质金属膜电阻 1/4W(物美价廉) dzsc/19/1211/19121100.jpg 金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料,用真空蒸发或溅射的方法,在陶瓷或玻璃基本上形成电阻膜层的电阻器。这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得,即在真空中加热合金,合金蒸发,使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。它的耐热性、噪声电势、温度系数、电压系数等电性能比碳膜电阻器优良。金属膜电阻器的制造工艺比较灵活,不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度,也可通过刻槽调整阻值,因而可以制成性能良好,阻值范围较宽的电阻器。 这种电阻和碳膜电阻相比,体积小、噪声低、稳定性好,但成本较高,常常作为精密和高稳定性的电阻器而广泛应用,同时也通用于各种无线电电子设备中。dzsc/19/1211/19121100.jpgdzsc/19/1211/19121100.jpg 1/4w 金属膜铜脚1% ,质量保证,价格低廉,实时供应,库存充足。5K起拿,量少勿扰。 "