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MOS管 三极管 场效应 BD242B

价 格: 0.10
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:BD242B
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
开启电压:*(V)
夹断电压:*(V)
跨导:*(μS)
极间电容:*(pF)
低频噪声系数:*(dB)
漏极电流:*(mA)
耗散功率:*(mW)
应用范围:放大

数据列表 BD242/A/B/C
 
产品相片 TO-220-3 Pkg
 
产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
 
标准包装 200
类别 分离式半导体产品 
家庭 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
晶体管类型 PNP
 
电流 - 集电极 (Ic)() 3A
 
电压 - 集电极发射极击穿() 80V
 
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 1.2V @ 600mA, 3A
 
电流 - 集电极截止() 300µA
 
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V
 
功率 - 40W
 
频率 - 转换 -
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220
 
包装 散装
 

"

深圳市广鑫世纪电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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