价 格: | 0.10 | |
功率: | 32 | |
批号: | 09+/10+ | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFI740G | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装: | TO-220F |
数据列表 | IRFI740G |
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 400V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.4A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 550 毫欧 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 66nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 值 | 40W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRFI740G |
我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成
为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,
最及时周到的服务。欢迎您来电详询!
联系电话:(86)0755 - 8276 8786 李小姐
0755 - 8276 8796 林小姐
传 真:(86)0755 - 8271 9699
手 机:(0) 13826525739 陈先生
本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚及时提供予你市场的价格。
"数据列表MAC08BT1, MAC08MT1产品相片SOT223-3L产品变化通告Product Obsolescence 14/Apr/2010标准包装10类别分立半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅类型逻辑 - 灵敏栅极电压 - 断态200V电流 - 通态 (It (RMS))(值)800mA电压 - 栅极触发 (Vgt)(值)2V电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm)8A @ 60Hz电流 - 栅极触发 (Igt)(值)10mA电流 - 保持 (Ih)(值)5mA配置单一安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223包装Digi-Reel®其它名称MAC08BT1OSDKR 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 李小姐 0755 - 8276 8796 林小姐传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚及时提供予你市场的价格。"
数据列表IRF3315产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)150V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)27A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)70 毫欧 @ 12A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)95nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1300pF @ 25V功率 - 值136W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB包装管件其它名称*IRF3315 我公司自成立以来,秉承“诚信,盈利第二;双赢互利,追求卓越”的宗旨,成为华强北实力的电子供应商之一,我们拥有的员工,为你提供势的价格,最及时周到的服务。欢迎您来电详询!联系电话:(86)0755 - 8276 8786 林小姐 0755 - 8276 8796 李小姐传 真:(86)0755 - 8271 9699 手 机:(0) 13826525739 陈先生本产品为我司优势库存,质量稳定有保证,我们将真诚及时提供予你市场的价格。