价 格: | 0.75 | |
品牌/商标: | HX | |
型号/规格: | HX2N60 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
夹断电压: | 2(V) | |
跨导: | 70(μS) | |
极间电容: | 30(pF) | |
低频噪声系数: | 30(dB) | |
漏极电流: | 1900(mA) | |
耗散功率: | 44000(mW) |
深圳海恩科技发展有限公司 是一家集电源半导体元器件(IC;高、低压场效应管(MOSFET);肖特基二极管等)供应、产品方案提供、技术服务于一体的综合性企业。我们提供的不只是元器件,我们还提供一流的技术支持和产品方案,您的满意是我们至高的追求。
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HX2N60是一颗高性能的开关MOSFET,主要用于LED驱动电源、小功率适配器、充电器中,其高性能、低价格,配以我司的CRE2263、CRE2532等驱动IC,其性价比可超目前市场单片内置MOSFET的电源IC,其TO-252的小封装,更适合于LED驱动电源、小体积电源、充电器方案的应用。
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