价 格: | 1.50 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3078 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCBO: | 10(V) | |
集电极允许电流ICM: | 0.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 1(W) | |
截止频率fT: | 0(MHz) | |
结构: | 面接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
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属性属性值条件部件型号1SV325 用途VCXO 反向电压VR10 V 容量CT(管壳1)44 to 49.5 pFVR=1V容量CT(管壳2)9.2 to 12 pFVR=4V串联电阻 , typ0.4 Ω 电容率, typ4.3 配置Single 封装ESC (0.8 x 1.6) 管脚数2 表面安装型Y 产品分类变容二极管(电调谐用器件) 装配基础日本, 泰国 RoHS Compatible Product(s) (#)Available
数据列表IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF产品相片D2PAK Pkg产品目录绘图D2Pak Side标准包装800类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1696pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak,TO-263(2 引线 接片)包装带卷 (TR)产品目录页面1375 (CN091-10 PDF)其它名称IRFZ46NSTRLPBF-NDIRFZ46NSTRLPBFTR