供应，环保，耐高温晶振，石英晶振，无源晶振
| 价 格： | 0.04 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌： | 无源晶振 | |
| 型号： | 无源晶振 | |
| 种类： | 谐振器 | |
| 标称频率： | 4（MHz） | |
| 调整频差： | 98（MHz） | |
| 温度频差： | 48（MHz） | |
| 总频差： | 4（MHz） | |
| 负载电容： | 4（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 94（Ω） | |
| 激励电平： | 98（mW） | |
| 基准温度： | 498（℃） | |
| 插入损耗： | 498（dB） | |
| 阻带衰减： | 4984（dB） | |
| 输入阻抗： | 94（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 7（kΩ） |
晶振行业是深圳是很热门的一个行业之一，在深圳华强北是晶振的主销地。虽然每天的销量都会很大，但也是有很多人是不懂晶振这个行业的。那现在跟大家认识晶振的其中一种：石英晶振。
石英晶体是压电晶体的一种，沿着特定的方向挤压或拉伸，它的两端会产生正负电荷，这种效应称为 正压电效应；相反，对晶体施加电场导致晶体形变的效应，称为逆压电效应。所以在石英晶片两面施加交 变电场，晶片就会产生形变，而形变又会产生电场，这是一个周期转换的过程。对于特定的晶片，这个周 期是固定的，我们利用这个周期来产生稳定的基准时钟信号。 石英晶体元器件，是利用石英晶体的压电效应实现频率控制、稳定或选择的关键电子元器件。包括石 英晶体谐振器、石英晶体振荡器和石英晶体滤波器。 在石英晶片的两面镀上电极，经过装架、调频、封装 等工序后制成石英晶体元件。石英晶体元件与集成电路等其它电子元件组合成石英晶体器件。本文主要介 绍石英晶振：即所谓石英晶体谐振器（无源晶振）和石英晶体振荡器（有源晶振）的统称。一般的概念中 把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。石英晶振是一种用于稳定频率和选择频率的电 子元件，已被广泛地使用在无线电话、载波通讯、广播电视、卫星通讯、仪器仪表等各种电子设备中
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信息内容：2 电路原理分析图1 所示的晶振电路假如满足巴克豪林准则就可以振荡. 从负阻的角度来分析电路的工作原理.提供负阻的电路如图3(a)所示, 由反相放大器和表晶两真个负载电容构成.M1可以替换图1中的invl,忽略沟道长度调制效应、体效应和晶体管的寄生电容. M1的漏电流即是(-I=/C1s)gm ,所因此对于S=jw加, 此阻抗由一个即是-gm/(ClCZw2)的负电阻串连C1 和C2组成(图3(b))如图4 所示, 将表晶和放大器的偏置电阻置于M1 的栅漏两端就构成了前面所述的晶振电路,它可以等效为右边的串连谐振电路, 假如要维持电路振荡,必须保证Zc的实部也就是负阻部分的︱Rosc︱≥Rso其中这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的极大值和极小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时...
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信息内容：VCXO压控振荡器发展历史电压控制晶振振荡器（VCXO）电压控制晶振振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶振振荡器。在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶振振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽，实际的牵引度范围约为±200ppm甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶振振子所能实现的频率还要高，可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶振振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展在移动通信基地站中作为高精度基准信号源使用的VCXO代表性产品是日本精工·爱普生公司生产的分析图VG－2320SC。这种采用与IC同样塑封的4引脚器件，内装单独开发的专用IC，器件尺寸为12.6mm×7.6mm×1.9mm，体积为0.19?。其标准频率为12～20MHz，电源电压为3.0±0.3V，工作电流不大于2mA，在－20～＋75℃范围内的频率稳定度≤±1.5ppm，频率可变范围是±20～±35ppm，启动振荡时间小于4ms。金石集团生产的VCXO，频率覆盖范围为10～360MHz，频率牵引度从±60ppm到&p...
